Hvaða rafstærðir ættu að hafa í huga þegar þú velur díóða?

一, grunn rafstærðir: ákvarða grunnafköst tækisins
1. jákvæð spennufall (VF)
Fram spennufall er spennumunurinn á milli rafskautsins og bakskautsins þegar díóða er að leiðast, sem hefur bein áhrif á skilvirkni hringrásarinnar. Dæmigert gildi kísildíóða er 0,6 - 0,7V, en Schottky díóða getur verið allt að 0,2-0,4V. Í lágspennu og hágæða atburðarás (svo sem DC-DC breytir) getur það að draga úr VF um 0,1V aukið skilvirkni um 2-3%. Til dæmis, í 5V/3A úttaksrás, með því að nota Schottky díóða með VF =0.3 V (eins og 1N5819) getur dregið úr orkunotkun um 12W samanborið við venjulega kísil díóða (VF =0.7 v).
2.
Þessi færibreytur skilgreinir hámarksmeðaltalstrauminn sem díóða getur farið í gegnum langa - stöðugt starfsemi, ákvarðað af PN Junction svæðinu og hitaleiðni. Sem dæmi má nefna að 1N4007 Afleiðara díóða hefur metið IF 1A, en raunverulegur hámarksstraumur hans getur náð 30A (ekki endurteknum púls). Þegar þú velur er nauðsynlegt að huga að:
Stöðugur vinnustraumur: 20-30% framlegð ætti að vera eftir
PULSE VINNA straumur: Tilvísun IFSM (ekki endurteknar bylgja) Breytur
Hitun hitadreifingar: TO-220 pakki hefur meira en 5 sinnum hærri hitastigsgetu en SOD-123 pakki
3. Andstæða sundurliðunarspenna (VBR) og hámarks öfugri spennuspennu (VRM)
VBR er mikilvægur spenna fyrir öfugt sundurliðun díóða en VRM tekur venjulega 60-80% af VBR sem öruggu starfssvæði. Til dæmis þarf að velja díóða með VRM meiri en eða jafnt og 600V (svo sem 1N4007 með VRM =1000} v). Gera skal athygli á sérstakar sviðsmyndir:
Tímabundin yfirspennu: Hugleiddu að passa VBR of TVS díóða við klemmuspennuna (VC)
Háspennuforrit: Pinna uppbygging Fast Recovery díóða þolir þúsundir volta af öfugri spennu
4. Afturleka straumur (IR)
IR endurspeglar öfugan niðurskurðargetu díóða og fyrir hverja 25 gráðu hækkun á hitastigi eykst IR um það bil 10 sinnum. Í háum - spennuhringrásum getur óhófleg IR leitt til mælingavillna. Til dæmis getur 2AP germanium skynjari díóða náð IR af 100 μ a við VR =50 v, en kísillinn - byggður 1N4148 hefur IR af<0.1 μ A under the same conditions.
2, kraftmiklar einkennandi breytur: hafa áhrif á hátt - tíðni og afköst rofa
5. Aftur á móti bata tíma (TRR)
TRR er aðlögunartími díóða frá leiðni til niðurskurðar, sem skiptir sköpum fyrir skilvirkni þess að skipta um aflgjafa. Hefðbundna afriðara díóða TRR getur náð hundruðum nanósekúndna, en hratt bata díóða (eins og FR107) getur stytt það í 50ns og Schottky díóða getur jafnvel lækkað það í nokkur nanósekúndur. Í 500kHz rofi aflgjafa getur það bætt skilvirkni með meira en 5% miðað við venjulegar díóða.
6. Junction Capactiance (CJ)
CJ samanstendur af dreifingarþéttum og hindrunarþéttum, sem hafa bein áhrif á heiðarleika High - tíðnismerki. Í RF hringrásum getur óhófleg CJ valdið merki og röskun á fasa. Til dæmis:
1n4148 lítill merkisrofi díóða cj =4 pf (@ vr =0 v)
HSMS-286X Series Schottky Diode CJ<0.6pF, suitable for GHz level applications
Varactor díóða getur náð stöðugu CJ breytileika með því að stilla öfugri spennu, sem er notuð til að stilla hringrás
7. Hámarks rekstrartíðni (FM)
FM er sameiginlega ákvarðað af TRR og CJ, með dæmigert gildi svið:
Leiðrétta díóða:<1kHz
Fljótur bata díóða: 10kHz-1MHz
Schottky díóða: yfir 100MHz
Breytileg þéttni díóða: fær um að ná GHZ stigi
3, Extreme breytu: Tryggja örugga notkun tækisins
8.
IFSM skilgreinir hámarks púlsstrauminn sem díóða er leyft að standast innan 10ms tímabils, venjulega 5 - 20 sinnum það sem If. Lykil staðfesting er nauðsynleg í atburðarásum eins og gangsetningu hreyfils og rafgeymslu:
1N5408 RECTIFIER DIODE IFSM =200 A (@ 10ms)
Reikna þarf raunverulega bylgjuorku með formúlunni: e=i ² rmst (þar sem ég er bylgjustraumurinn og t er lengd)
9. mótunarhitastig (TJ) og hitauppstreymi (R θ JA)
TJ er hæsti hitastigið inni í flísinni, venjulega ekki hærri en 150 gráðu fyrir kísilrör. Varmaþolið R θ Ja endurspeglar hitastigsgetuna, til dæmis:
SOD-123 umbúðir: R θ Ja ≈ 300 gráðu /w
To-220 pakki (með hitavask): R θ JA<10 ℃/W
Hægt er að reikna raunverulega mótunarhita með formúlunni TJ=Ta+p × r θ JA (þar sem Ta er umhverfishitastigið og P er orkunotkunin).
10. Rafmagnsdreifing (PD)
PD skilgreinir hámarks orkunotkun díóða við sérstök hitaleiðni, sem þarf að passa við raunverulega orkunotkun hringrásarinnar. Til dæmis:
PD 1N4007 í ókeypis lofti er 1W
Við neyddar loftkælingarskilyrði er hægt að auka það í 3W
Reikna þarf raunverulega orkunotkun með því að nota p=vf × ef, með 50% framlegð eftir
4, sérstakar umsóknarstærðir: Lykill að vali á atburðarás
11. Stöðugleiki spennu (VZ, RZ)
Zener díóða þarf að huga að:
Stöðug spenna (VZ): Nákvæmni getur orðið ± 1%, ± 2%
Dynamic Resistan
Spenna hitastigstuðull: Til dæmis hefur 2dw7c gerð spennueftirlitsstofninn hitastigstuðul +0.07%/ gráðu
12. ESD verndarbreytur (TVS díóða)
Það þarf að sannreyna tímabundna spennu kúgun díóða:
Sundurliðunarspenna (VBR): aðeins hærri en rekstrarspenna hringrásarinnar
Klemmuspenna (VC): Verndunarspenna við tiltekinn púlsstraum
Peak Pulse Power (PPP): Til dæmis er PPP SMAJ5.0A sjónvörpanna 400W (@ 8/20 μ s bylgjuform)
5, valaðferðafræði: fjögurra þrepa aðferð til að passa færibreytu
Skilgreining á atburðarás: Skilgreindu skýrt notkun forritsins (leiðrétting/rofi/spennu reglugerð/vernd)
Sí fyrir síu: Veldu líkön byggð á kjarnabreytum (VF/IF/VRM/Trr)
Afritunarhönnun: Spenna/straumur við 80% gildi gildi, hitastig við 50% framlegð
Staðfestingarprófun: Mæla lykilbreytur eins og VF, IR, Trr osfrv. Með raunverulegum mælingum
Dæmigert mál:
Í 48V/10A Switching Output Output Circuit Circuit, eru valþrepin sem hér segir
Ákveðið kröfur: VF<0.5V, IF ≥ 15A, VRM ≥ 60V, trr<50ns
Upphafsvalslíkan: MBR2060CT Schottky díóða (VF)=0.45 v@10a, ef =20 a, vrm =60 v, trr =10 ns)
Hitauppstreymi: Reiknið TJ =25 gráðu +(0,45V × 10a × 0,05 gráðu /w) =47.5 gráðu (með kopar undirlagi fyrir hitaleiðni)
Raunveruleg prófun: VF =0.47 v var mæld við fullar álagsskilyrði, með hitastigshækkun 22 gráðu, sem uppfyllir hönnunarkröfur